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STP60NF10 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STP60NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 19 mohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP60NF10 数据手册 (15 页)

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STP60NF10 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

80.0 A

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

19 mΩ

极性

N-Channel

功耗

300 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

40.0 A

上升时间

56 ns

输入电容值(Ciss)

4270pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

23 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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STP60NF10 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

15.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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STP60NF10 符合标准

STP60NF10 海关信息

STP60NF10 概述

STP60NF10 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.35 MByte

STP60NF10 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

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N沟道30V - 0.008Ω - 60A TO- 220的STripFET ™功率MOSFET N-channel 30V - 0.008Ω - 60A TO-220 STripFET™ Power MOSFET

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N沟道30 V ， 0.0072 Ω ， 48采用DPAK ， IPAK ， TO- 220的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO-220 STripFET™ V Power MOSFET

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N沟道60V - 0.012ヘ - 60A - TO- 220 / D2PAK / TO- 220FP STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.012ヘ - 60A - TO-220/D2PAK/TO-220FP STripFET⑩ II Power MOSFET

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