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STP65NF06 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STP65NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 11.5 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP65NF06 数据手册 (14 页)

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STP65NF06 数据手册 (14 页)

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STP65NF06 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

60.0 A

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0115 Ω

极性

N-Channel

功耗

110 W

阈值电压

4 V

输入电容

1.70 nF

栅电荷

75.0 nC

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

连续漏极电流(Ids)

30.0 A

上升时间

60 ns

输入电容值(Ciss)

1700pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

110 W

下降时间

16 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

110W (Tc)

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STP65NF06 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

15.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STP65NF06 符合标准

STP65NF06 概述