￥ 0.656

STP6NK60Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STP6NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STP6NK60Z 数据手册 (17 页)

封装尺寸在10 页 11 页 12 页 13 页 14 页

STP6NK60Z 数据手册 (17 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STP6NK60Z 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

6.00 A

封装

TO-220-3

额定功率

110 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.2 Ω

极性

N-Channel

功耗

110 W

阈值电压

3.75 V

输入电容

905 pF

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

6.00 A

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

905pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

110 W

下降时间

19 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

110000 mW

查看数据手册 >

STP6NK60Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

STP6NK60Z 符合标准

STP6NK60Z 海关信息

STP6NK60Z 概述