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STP6NK90ZFP
0.981
STP6NK90ZFP 数据手册 (18 页)
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STP6NK90ZFP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.56 Ω
极性
N-Channel
功耗
30 W
阈值电压
3.75 V
输入电容
1350 pF
漏源极电压(Vds)
900 V
漏源击穿电压
900 V
连续漏极电流(Ids)
5.80 A
上升时间
45 ns
输入电容值(Ciss)
1350pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
30 W
下降时间
20 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
30W (Tc)

STP6NK90ZFP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
9.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STP6NK90ZFP 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 0.46 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 2.6 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.75 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
27 页 / 0.85 MByte

STP6NK90 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP6NK90ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.8 A, 900 V, 1.56 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP6NK90Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.8 A, 900 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V
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