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STP75NS04Z
1.887
STP75NS04Z 数据手册 (12 页)
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STP75NS04Z 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
11 mΩ
极性
N-CH
功耗
110 W
漏源极电压(Vds)
33 V
漏源击穿电压
33 V
连续漏极电流(Ids)
80A
上升时间
248 ns
输入电容值(Ciss)
1860pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
110 W
下降时间
85 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
110W (Tc)

STP75NS04Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
15.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STP75NS04Z 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
12 页 / 0.22 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
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