器件3D模型

￥ 0.558

STS4DNF60L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

STMICROELECTRONICS STS4DNF60L 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STS4DNF60L 数据手册 (12 页)

封装尺寸在9 页 10 页

STS4DNF60L 数据手册 (12 页)

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STS4DNF60L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

4.00 A

封装

SOIC-8

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.045 Ω

极性

N-Channel, Dual N-Channel

功耗

2.5 W

阈值电压

1.7 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

栅源击穿电压

±15.0 V

连续漏极电流(Ids)

4.00 A

上升时间

28 ns

输入电容值(Ciss)

1030pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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STS4DNF60L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.25 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STS4DNF60L 符合标准

STS4DNF60L 海关信息

STS4DNF60L 概述