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STS4NF100
器件3D模型
0.44
STS4NF100 数据手册 (8 页)
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STS4NF100 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
4.00 A
封装
SOIC-8
漏源极电阻
65.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.00 A
上升时间
45 ns
输入电容值(Ciss)
870pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
17 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

STS4NF100 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STS4NF100 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.38 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.43 MByte

STS4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STS4DNF60L  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STS4DPF30L  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -30 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ 双 MOSFET,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
双N沟道30V - 0.039ohm - 4A SO- 8的STripFET TM功率MOSFET Dual N-channel 30V - 0.039ohm - 4A SO-8 STripFET TM Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
的STripFET ™ MOSFET StripFET⑩ MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道100V - 0.065欧姆 - 4A SO- 8 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.065 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道 - 30V - 0.044ohm - 4.5A SO- 8的STripFET TM功率MOSFET加上肖特基整流器 N-channel - 30V - 0.044ohm - 4.5A SO-8 STripFET tm Power MOSFET plus schottky rectifier
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.044ohm - 4A SO- 8的STripFET TM MOSFET加上肖特基整流器 N-channel 30V - 0.044ohm - 4A SO-8 STripFET TM MOSFET plus SCHOTTKY rectifier
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 60V - 0.045ohm - 4A SO- 8的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.045ohm - 4A SO-8 STripFET POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
P沟道30V - 0.07ohm - 4A SO- 8 MOSFET STripFET⑩ PLUS肖特基整流器 P-CHANNEL 30V - 0.07ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
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