器件3D模型

￥ 0.01

STS5DNF20V 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

STMICROELECTRONICS STS5DNF20V 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 2.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STS5DNF20V 数据手册 (14 页)

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STS5DNF20V 数据手册 (14 页)

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STS5DNF20V 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

20.0 V

额定电流

5.00 A

封装

SOIC-8

额定功率

1.6 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

30 mΩ

极性

Dual N-Channel

功耗

2 W

阈值电压

2.7 V

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20.0 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

5.00 A

上升时间

33 ns

输入电容值(Ciss)

460pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2 W

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STS5DNF20V 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STS5DNF20V 符合标准

STS5DNF20V 海关信息