器件3D模型

￥ 0.56

STS5PF30L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STS5PF30L 数据手册 (12 页)

封装尺寸在9 页 10 页

STS5PF30L 数据手册 (12 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STS5PF30L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

-30.0 V

额定电流

-5.00 A

封装

SOIC-8

漏源极电阻

0.045 Ω

极性

P-Channel

功耗

2.5 W

阈值电压

1.6 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±16.0 V

连续漏极电流(Ids)

5.00 A

上升时间

35 ns

输入电容值(Ciss)

1350pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

查看数据手册 >

STS5PF30L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.25 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

STS5PF30L 符合标准

STS5PF30L 概述