￥ 1.454

STTH806DIRG 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

TVS二极管

封装:

TO-220-2

描述:

涡轮2超快 - 高电压整流器 Turbo 2 ultrafast - high voltage rectifier

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STTH806DIRG 数据手册 (9 页)

封装尺寸在5 页 6 页 7 页

STTH806DIRG 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STTH806DIRG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

2 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

8.00 A

封装

TO-220-2

输出电流

≤8.00 A

正向电压

1.85V @8A

极性

Standard

热阻

4℃/W (RθJC)

反向恢复时间

30 ns

正向电流

8000 mA

正向电压(Max)

1.85V @8A

正向电流(Max)

8000 mA

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

工作结温

175℃ (Max)

查看数据手册 >

STTH806DIRG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

查看数据手册 >

STTH806DIRG 符合标准

STTH806DIRG 概述

STTH806DIRG 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

9 页 / 0.13 MByte

STTH806DIRG 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

10 页 / 0.12 MByte

STTH806 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

TURBOSWITCHO串联600V超快速的升压二极管 TURBOSWITCHO Tandem 600V ULTRA-FAST BOOST DIODE

STTH806DTI 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

串联600V超快的升压二极管 Tandem 600V HYPERFAST BOOST DIODE

STTH806TTI 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STTH806TTI 快速/超快二极管, 双系列, 600 V, 8 A, 3.6 V, 13 ns, 80 A

STTH806D 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

600 V 8 A 法兰安装 Tandem Hyperfast 升压二极管 - TO-220AC

STTH806DIRG 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

涡轮2超快 - 高电压整流器 Turbo 2 ultrafast - high voltage rectifier

STTH806G-TR 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STTH806G-TR 快速/超快二极管, 单, 600 V, 8 A, 1.85 V, 55 ns, 90 A

STTH806DT 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STTH806G 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

涡轮2超快 - 高电压整流器 Turbo 2 ultrafast - high voltage rectifier

STTH806DTI07 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号