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STU60N3LH5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

STMICROELECTRONICS STU60N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STU60N3LH5 数据手册 (21 页)

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STU60N3LH5 数据手册 (21 页)

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STU60N3LH5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-251-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0076 Ω

极性

N-Channel

功耗

60 W

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

24.0 A

上升时间

33 ns

输入电容值(Ciss)

1620pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

60 W

下降时间

4.2 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

60W (Tc)

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STU60N3LH5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

6.6 mm

宽度

2.4 mm

高度

6.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STU60N3LH5 符合标准

STU60N3LH5 概述

STU60N3LH5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 0.72 MByte

STU60N3LH5 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.84 MByte

STU60N3LH5 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.84 MByte

STU60N3LH5 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.04 MByte

STU60N3 数据手册

STU60N3LH5 数据手册

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