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STU85N3LH5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

STMICROELECTRONICS STU85N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STU85N3LH5 数据手册 (16 页)

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STU85N3LH5 数据手册 (16 页)

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STU85N3LH5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-251-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0046 Ω

极性

N-Channel

功耗

70 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

40.0 A

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

1850pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

70 W

下降时间

10.8 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

70W (Tc)

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STU85N3LH5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

6.6 mm

宽度

2.4 mm

高度

6.9 mm

工作温度

175℃ (TJ)

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STU85N3LH5 符合标准

STU85N3LH5 概述

STU85N3LH5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.79 MByte

STU85N3LH5 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

4 页 / 0.11 MByte

STU85N3LH5 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.04 MByte

STU85N3 数据手册

STU85N3LH5 数据手册

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