￥ 3.866

STW11NM80 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

STMICROELECTRONICS STW11NM80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 350 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STW11NM80 数据手册 (22 页)

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STW11NM80 数据手册 (22 页)

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STW11NM80 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

800 V

额定电流

11.0 A

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.35 Ω

极性

N-Channel

功耗

150 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

800 V

漏源击穿电压

800 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

5.50 A

上升时间

17 ns

输入电容值(Ciss)

1630pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

150 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

150W (Tc)

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STW11NM80 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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STW11NM80 符合标准

STW11NM80 海关信息

STW11NM80 概述