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STW12N120K5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

1200V,12A,690mΩ,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STW12N120K5 数据手册 (21 页)

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STW12N120K5 数据手册 (21 页)

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STW12N120K5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

极性

N-CH

功耗

250 W

输入电容

1370 pF

漏源极电压(Vds)

1200 V

连续漏极电流(Ids)

12A

上升时间

11 ns

输入电容值(Ciss)

1370pF @100V(Vds)

下降时间

18.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250W (Tc)

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STW12N120K5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STW12N120K5 符合标准

STW12N120K5 海关信息

STW12N120K5 概述

STW12N120K5 数据手册

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1200V,12A,690mΩ,N沟道功率MOSFET

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