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STW20N90K5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 900 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STW20N90K5 数据手册 (60 页)

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STW20N90K5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.21 Ω

功耗

250 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

900 V

上升时间

13.5 ns

输入电容值(Ciss)

1500pF @100V(Vds)

下降时间

16 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250W (Tc)

STW20N90K5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STW20N90K5 符合标准

STW20N90K5 海关信息

STW20N90K5 数据手册

STW20N90K5 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

60 页 / 4.35 MByte

STW20N90K5 产品设计图

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.75 MByte

STW20N90K5 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

27 页 / 0.85 MByte

STW20N90K5 产品描述及参数

ST Microelectronics（意法半导体）

10 页 / 0.64 MByte

STW20N90K5 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.67 MByte

STW20N90K5 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

STW20N90 数据手册

STW20N90K5 数据手册

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晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 900 V, 0.21 ohm, 10 V, 4 V

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