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STW21N90K5
6.333
STW21N90K5 数据手册 (17 页)
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STW21N90K5 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.25 Ω
极性
N-CH
功耗
250 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
900 V
连续漏极电流(Ids)
18.5A
上升时间
27 ns
输入电容值(Ciss)
1645pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
250 W
下降时间
40 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
250W (Tc)

STW21N90K5 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STW21N90K5 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.18 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
22 页 / 0.96 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
30 页 / 0.31 MByte

STW21N90 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道900 V, 0.25 I© (典型值) , 18.5齐纳保护SuperMESHâ ??在D2PAK , TO- 220FP , TO- 220和TO- 247封装¢ 5功率MOSFET N-channel 900 V, 0.25 Ω typ., 18.5 A Zener-protected SuperMESH™ 5 Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages
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