￥ 8.193

STW32NM50N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

500V,22A,N沟道MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STW32NM50N 数据手册 (17 页)

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STW32NM50N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.1 Ω

功耗

190 W

阈值电压

3 V

输入电容

1973 pF

漏源极电压(Vds)

500 V

上升时间

9.5 ns

输入电容值(Ciss)

1973pF @50V(Vds)

下降时间

23.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

190W (Tc)

STW32NM50N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

150℃ (TJ)

STW32NM50N 符合标准

STW32NM50N 海关信息

STW32NM50N 数据手册

STW32NM50N 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.18 MByte

STW32NM50N 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 1.14 MByte

STW32NM50N 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

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STW32NM50N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

500V,22A,N沟道MOSFET

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