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STW33N60M2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性，非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STW33N60M2 数据手册 (20 页)

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STW33N60M2 数据手册 (20 页)

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STW33N60M2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.108 Ω

极性

N-CH

功耗

190 W

阈值电压

3 V

输入电容

1781 pF

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

26A

上升时间

9.6 ns

输入电容值(Ciss)

1781pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

190 W

下降时间

9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

190W (Tc)

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STW33N60M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STW33N60M2 符合标准

STW33N60M2 海关信息

STW33N60M2 概述