Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > ST Microelectronics(意法半导体) > STW34N65M5 Datasheet 文档
STW34N65M5
2.783
STW34N65M5 数据手册 (22 页)
查看文档
或点击图片查看大图

STW34N65M5 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
功耗
190 W
漏源极电压(Vds)
650 V
输入电容值(Ciss)
2700pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
190 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
190W (Tc)

STW34N65M5 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
高度
20.15 mm
工作温度
150℃ (TJ)

STW34N65M5 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
22 页 / 1.39 MByte

STW34N65 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z