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STW35N60DM2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N 通道 MDmesh DM2 系列，STMicroelectronicsMDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改进的二极管反向恢复时间，可提高效率，此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。高 dV/dt 能力，可提高系统可靠性符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STW35N60DM2 数据手册 (26 页)

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STW35N60DM2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.094 Ω

极性

N-Channel

功耗

210 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

17 ns

输入电容值(Ciss)

2400pF @100V(Vds)

下降时间

10.7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

210W (Tc)

STW35N60DM2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STW35N60DM2 符合标准

STW35N60DM2 海关信息

STW35N60DM2 概述