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STW43NM60ND
3.062
STW43NM60ND 数据手册 (13 页)
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STW43NM60ND 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.075 Ω
极性
N-Channel
功耗
255 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
35A
上升时间
40 ns
输入电容值(Ciss)
4300pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
255 W
下降时间
50 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
255W (Tc)

STW43NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
高度
20.15 mm
工作温度
150℃ (TJ)

STW43NM60ND 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.54 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.53 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
32 页 / 0.51 MByte

STW43NM60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STW43NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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