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STW45N65M5
6.63
STW45N65M5 数据手册 (19 页)
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STW45N65M5 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.067 Ω
极性
N-CH
功耗
210 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
35A
输入电容值(Ciss)
3375pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
208 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
210W (Tc)

STW45N65M5 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
高度
20.15 mm
工作温度
150℃ (TJ)

STW45N65M5 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
19 页 / 1.21 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 1.63 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
30 页 / 0.31 MByte

STW45N65 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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