￥ 18.198

STW45NM50FD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N沟道500 V， 0.07 Ω ， 45 A， TO- 247 FDmesh ™功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 500 V, 0.07 Ω, 45 A, TO-247 FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode)

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STW45NM50FD 数据手册 (12 页)

封装尺寸在9 页 10 页

STW45NM50FD 数据手册 (12 页)

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STW45NM50FD 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

45.0 A

封装

TO-247-3

漏源极电阻

0.1 Ω

极性

N-Channel

功耗

417 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

45.0 A

上升时间

107.5 ns

输入电容值(Ciss)

3600pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

417 W

下降时间

87.7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

417W (Tc)

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STW45NM50FD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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STW45NM50FD 符合标准

STW45NM50FD 概述