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STW45NM60
6.452
STW45NM60 数据手册 (12 页)
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STW45NM60 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
45.0 A
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
110 mΩ
极性
N-Channel
功耗
417 W
漏源极电压(Vds)
650 V
漏源击穿电压
600 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
45.0 A
上升时间
20 ns
输入电容值(Ciss)
3800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
417 W
下降时间
23 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
417W (Tc)

STW45NM60 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
高度
20.15 mm
工作温度
150℃ (TJ)

STW45NM60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
12 页 / 0.31 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.12 MByte

STW45 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STW45NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 550 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500 V, 0.07 Ω , 45 A, TO- 247 FDmesh ™功率MOSFET (具有快速二极管) N-channel 500 V, 0.07 Ω, 45 A, TO-247 FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode)
ST Microelectronics(意法半导体)
场效应管(MOSFET) STW45N60DM2AG TO-247-3
ST Microelectronics(意法半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
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