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STW48N60M2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N-沟道 650 V 0.07 Ω 300 W 法兰安装 MDmesh M2 功率 Mosfet - TO-247-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STW48N60M2 数据手册 (13 页)

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STW48N60M2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.07 Ω

功耗

300 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

17 ns

输入电容值(Ciss)

3060pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

119 ns

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

STW48N60M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STW48N60M2 符合标准

STW48N60M2 海关信息

STW48N60M2 数据手册

STW48N60M2 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.56 MByte

STW48N60M2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.69 MByte

STW48N60M2 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

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