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STW75NF20
3.521
STW75NF20 数据手册 (16 页)
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STW75NF20 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.028 Ω
极性
N-Channel
功耗
190 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
连续漏极电流(Ids)
47.0 A, 75.0 A
上升时间
33 ns
输入电容值(Ciss)
3260pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
190 W
下降时间
29 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-50 ℃
耗散功率(Max)
190W (Tc)

STW75NF20 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
高度
20.15 mm
工作温度
-50℃ ~ 150℃ (TJ)

STW75NF20 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 0.49 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.18 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
30 页 / 0.31 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.12 MByte

STW75 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STW75NF30  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 300 V, 37 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STW75NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 200 V, 28 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 72 A, 600 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道200V - 0.028Ω - 75A - D2PAK - TO- 220 - TO- 247低栅极电荷的STripFET ?功率MOSFET N-channel 200V - 0.028Ω - 75A - D2PAK - TO-220 - TO-247 Low gate charge STripFET? Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
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