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STW9NB80 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N沟道800V - 0.85ohm - 9.3A - TO- 247 MOSFET的PowerMESH N-CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STW9NB80 数据手册 (8 页)

原理图在1 页

STW9NB80 数据手册 (8 页)

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STW9NB80 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

1 Ω

极性

N-Channel

功耗

190 W

漏源极电压(Vds)

800 V

漏源击穿电压

800 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

9.00 A

上升时间

20 ns

下降时间

22 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

65 ℃

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STW9NB80 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

查看数据手册 >

STW9NB80 符合标准

STW9NB80 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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