￥ 6.079

STY60NK30Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STY60NK30Z 数据手册 (8 页)

原理图在1 页

STY60NK30Z 数据手册 (8 页)

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STY60NK30Z 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

300 V

额定电流

60.0 A

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.033 Ω

极性

N-Channel

功耗

450 W

阈值电压

3.75 V

漏源极电压(Vds)

300 V

漏源击穿电压

300 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

60.0 A

上升时间

90 ns

输入电容值(Ciss)

7200pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

450 W

下降时间

60 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

450W (Tc)

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STY60NK30Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.9 mm

宽度

5.3 mm

高度

20.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STY60NK30Z 符合标准

STY60NK30Z 概述