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Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY(威世) > SUD19P06-60-GE3 Datasheet 文档
SUD19P06-60-GE3
0.511
SUD19P06-60-GE3 数据手册 (8 页)
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SUD19P06-60-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.048 Ω
极性
P-Channel
功耗
2.3 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
-19.0 A
上升时间
9 ns
输入电容值(Ciss)
1710pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.3 W
下降时间
30 ns
工作温度(Max)
150 ℃

SUD19P06-60-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
2000

SUD19P06-60-GE3 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 0.15 MByte
VISHAY(威世)
11 页 / 0.17 MByte
VISHAY(威世)
2 页 / 0.22 MByte

SUD19P0660 数据手册

VISHAY(威世)
P通道60 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
SUD19P06-60-GE3 编带
VISHAY(威世)
P通道60 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SUD19P06-60-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -18.3 A, -60 V, 0.048 ohm, -10 V, -3 V
Vishay Semiconductor(威世)
P通道60 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
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