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SUD50P04-08-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-252

描述:

VISHAY SUD50P04-08-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 6.7 mohm, -10 V, -1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SUD50P04-08-GE3 数据手册 (8 页)

封装尺寸在6 页

SUD50P04-08-GE3 数据手册 (8 页)

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SUD50P04-08-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0067 Ω

极性

P-Channel

功耗

73.5 W

上升时间

12 ns

下降时间

18 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

73.5 W

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SUD50P04-08-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SUD50P04-08-GE3 符合标准

SUD50P04-08-GE3 海关信息

SUD50P04-08-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

8 页 / 0.14 MByte

SUD50P04-08-GE3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

8 页 / 0.14 MByte

SUD50P04-08-GE3 产品修订记录

Vishay Semiconductor（威世）

2 页 / 0.22 MByte

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P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

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