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Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Semiconductor(威世) > SUM65N20-30-E3 Datasheet 文档
SUM65N20-30-E3
0.708
SUM65N20-30-E3 数据手册 (8 页)
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SUM65N20-30-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263
漏源极电阻
0.03 Ω
极性
N-Channel
功耗
3.75 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
65.0 A
上升时间
220 ns
输入电容值(Ciss)
5100pF @25V(Vds)
下降时间
200 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
375 W

SUM65N20-30-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
长度
10.41 mm
宽度
9.652 mm
高度
4.826 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

SUM65N20-30-E3 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
8 页 / 0.14 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
8 页 / 0.14 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
2 页 / 0.28 MByte

SUM65N2030 数据手册

VISHAY(威世)
N沟道200 -V (D -S ) 175C MOSFET N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET
VISHAY(威世)
N沟道200 -V ( D- S) 175℃ MOSFET N-Channel 200-V (D-S) 175 °C MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Intertechnology
VISHAY(威世)
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