￥ 2.791

SUM65N20-30-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N沟道200 -V （ D- S） 175℃ MOSFET N-Channel 200-V (D-S) 175 °C MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SUM65N20-30-E3 数据手册 (8 页)

封装尺寸在6 页

SUM65N20-30-E3 数据手册 (8 页)

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SUM65N20-30-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

漏源极电阻

30 mΩ

极性

N-Channel

功耗

3.75 W

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

65.0 A

上升时间

220 ns

输入电容值(Ciss)

5100pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

3.75 W

下降时间

200 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

375 W

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SUM65N20-30-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.41 mm

宽度

9.652 mm

高度

4.826 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

最小包装数量

2000

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SUM65N20-30-E3 符合标准

SUM65N20-30-E3 概述

SUM65N20-30-E3 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.15 MByte

SUM65N20-30-E3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.14 MByte

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