￥ 2.72

SUP85N03-04P-E3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SUP85N03-04P-E3 数据手册 (6 页)

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SUP85N03-04P-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

漏源极电阻

0.008 Ω

功耗

166 W

输入电容

4500pF @25V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

热阻

0.9℃/W (RθJC)

输入电容值(Ciss)

4500pF @25V(Vds)

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.75W (Ta), 166W (Tc)

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SUP85N03-04P-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

长度

10.51 mm

宽度

4.7 mm

高度

15.49 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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SUP85N03-04P-E3 符合标准

SUP85N03-04P-E3 数据手册

Vishay Siliconix

6 页 / 0.08 MByte

SUP85N03-04P-E3 其他数据使用手册

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3 页 / 0.25 MByte

SUP85N03-04P-E3 产品封装文件

Vishay Siliconix

9 页 / 0.22 MByte

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