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SUP85N10-10-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220

描述:

N沟道 20 V 0.0014 Ohms 表面贴装功率Mosfet - PolarPAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SUP85N10-10-E3 数据手册 (8 页)

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SUP85N10-10-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220

漏源极电阻

0.012 Ω

极性

N-Channel

功耗

250 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

85.0 A

上升时间

90 ns

输入电容值(Ciss)

6550pF @25V(Vds)

下降时间

130 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250000 mW

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SUP85N10-10-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

高度

9.01 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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SUP85N10-10-E3 符合标准

SUP85N10-10-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

8 页 / 0.36 MByte

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