￥ 1.526

SUP85N10-10-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道 100V 85A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SUP85N10-10-E3 数据手册 (6 页)

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SUP85N10-10-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

漏源极电阻

10.5 mΩ

极性

N-CH

功耗

250 W

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

85A

上升时间

90 ns

输入电容值(Ciss)

6550pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

3.75 W

下降时间

130 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250000 mW

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SUP85N10-10-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

最小包装数量

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SUP85N10-10-E3 符合标准

SUP85N10-10-E3 数据手册

VISHAY（威世）

6 页 / 0.09 MByte

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