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Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > SUP85N10-10-E3 Datasheet 文档
SUP85N10-10-E3
3.927
SUP85N10-10-E3 数据手册 (8 页)
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SUP85N10-10-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
漏源极电阻
0.0105 Ω
极性
N-Channel
功耗
250 W
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
85.0 A
上升时间
90 ns
输入电容值(Ciss)
6550pF @25V(Vds)
下降时间
130 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.75W (Ta), 250W (Tc)

SUP85N10-10-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

SUP85N10-10-E3 数据手册

Vishay Siliconix
8 页 / 0.36 MByte
Vishay Siliconix
9 页 / 0.22 MByte

SUP85N1010 数据手册

Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
N沟道100 -V (D -S ) 175 MOSFET N-Channel 100-V (D-S) 175 MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
N沟道100 -V (D -S ) 175 MOSFET N-Channel 100-V (D-S) 175 MOSFET
Vishay Intertechnology
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY(威世)
N沟道 100V 85A
Vishay Semiconductor(威世)
N沟道 20 V 0.0014 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - PolarPAK
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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