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SUP85N10-10P-GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SUP85N10-10P-GE3 数据手册 (8 页)

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SUP85N10-10P-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

极性

N-Channel

功耗

3.75W (Ta), 227W (Tc)

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

85.0 A

输入电容值(Ciss)

4660pF @50V(Vds)

耗散功率(Max)

3.75W (Ta), 227W (Tc)

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SUP85N10-10P-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SUP85N10-10P-GE3 符合标准

SUP85N10-10P-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

8 页 / 0.36 MByte

SUP85N10-10P-GE3 其他数据使用手册

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7 页 / 0.09 MByte

SUP85N10-10P-GE3 产品封装文件

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