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Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY(威世) > SUP85N15-21-E3 Datasheet 文档
SUP85N15-21-E3
1.018
SUP85N15-21-E3 数据手册 (6 页)
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SUP85N15-21-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
漏源极电阻
21 mΩ
极性
N-CH
功耗
2.4 W
漏源极电压(Vds)
150 V
连续漏极电流(Ids)
85A
上升时间
170 ns
输入电容值(Ciss)
4750pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.4 W
下降时间
170 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2400 mW

SUP85N15-21-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
最小包装数量
50

SUP85N15-21-E3 数据手册

VISHAY(威世)
6 页 / 0.07 MByte
VISHAY(威世)
2 页 / 0.22 MByte

SUP85N1521 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
N沟道150 -V (D -S ) 175C MOSFET N-Channel 150-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Intertechnology
VISHAY(威世)
场效应管, MOSFET, N沟道, 150V 85A TO-220AB
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SUP85N15-21-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 150V 85A TO-220AB
Vishay Intertechnology
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