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Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY(威世) > SUP90P06-09L-E3 Datasheet 文档
SUP90P06-09L-E3
3.047
SUP90P06-09L-E3 数据手册 (6 页)
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SUP90P06-09L-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
250 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0074 Ω
极性
P-Channel
功耗
2.4 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
90.0 A
上升时间
190 ns
输入电容值(Ciss)
9200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.4 W
下降时间
300 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
175 ℃
耗散功率(Max)
2400 mW

SUP90P06-09L-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
最小包装数量
50

SUP90P06-09L-E3 数据手册

VISHAY(威世)
6 页 / 0.07 MByte
VISHAY(威世)
7 页 / 0.09 MByte
VISHAY(威世)
2 页 / 0.22 MByte

SUP90P0609 数据手册

VISHAY(威世)
P通道60 -V (D -S ) 175C MOSFET P-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SUP90P06-09L-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, 90 A, -60 V, 0.0074 ohm, -10 V, -1 V
Vishay Intertechnology
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY(威世)
P通道60 -V (D -S ) 175摄氏度MOSFET P-Channel 60-V (D-S) 175 Celsius MOSFET
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