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T55B476M010C0150
0.247
T55B476M010C0150 数据手册 (10 页)
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T55B476M010C0150 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
电容
47 µF
等效串联电阻(ESR)
150 mΩ
容差
±20 %
封装
3528
纹波电流
930 mA
工作温度(Max)
105 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
额定电压
10 V

T55B476M010C0150 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
高度
1.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 105℃

T55B476M010C0150 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
10 页 / 0.57 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
22 页 / 0.6 MByte

T55B476M010 数据手册

VISHAY(威世)
T55 系列T55 固体钽表面安装片状电容器 模制盒、高性能聚合体型超低 ESR 模制外壳,提供 5 个箱代码 接线端子:箱 J、P 和 A:100% 锡 箱 B 和 T:Ni/Pd/Au 与高容量自动拾放设备兼容 湿度敏感性等级 3 去耦、平滑、滤波中的应用;无线卡中的节能存储;基础设施设备;存储和网络;计算机主板;智能手机和平板电脑
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  T55B476M010C0070  表面贴装钽电容, T55 vPolyTan系列, 47 µF, 1411 [3528-21 公制], 0.07 ohm, 10 V
Vishay Semiconductor(威世)
T55 系列 47uF ±20% 10V 150mΩ 高性能 固态 钽电容
VISHAY(威世)
Vishay Dale(威世达勒)
Vishay Dale(威世达勒)
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