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T835-600G
0.482
T835-600G 数据手册 (18 页)
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T835-600G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
8.00 A
封装
TO-263-3
保持电流
35 mA
保持电流(Max)
35 mA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃

T835-600G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.28 mm
宽度
9.35 mm
高度
4.6 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

T835-600G 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 0.27 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 0.89 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
3 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.13 MByte

T835600 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  T835-600B-TR  三端双向可控硅, 600 V, 35 mA, 1 W, 1.3 V, TO-252, 80 A
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  T835-600G-TR.  三端双向可控硅开关
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  T835-600G  三端双向可控硅, 600 V, 35 mA, 1 W, 1.3 V, 80 A
ST Microelectronics(意法半导体)
8A双向可控硅 8A TRIACS
ST Microelectronics(意法半导体)
8A双向可控硅 8A TRIACS
ST Microelectronics(意法半导体)
无缓冲器™ ,逻辑层次和水平8的三端双向可控硅 Snubberless?, logic level and standard 8 A Triacs
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