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TCDT1102G
器件3D模型
0.184
TCDT1102G 数据手册 (6 页)
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TCDT1102G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
6 Pin
封装
DIP-6
上升/下降时间
7µs, 6.7µs
输出电压
32.0 V, 32.0 V (max)
通道数
1 Channel
针脚数
6 Position
正向电压
1.25 V
输入电流
50.0 mA
功耗
250 mW
上升时间
7 µs
隔离电压
5 kV
输出电压(Max)
32 V
输入电流(Min)
60 mA
正向电压(Max)
1.6 V
正向电流(Max)
60 mA
下降时间
6.7 µs
工作温度(Max)
100 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
250 mW

TCDT1102G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Design
包装方式
Each
高度
3.81 mm
工作温度
-55℃ ~ 110℃

TCDT1102G 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
6 页 / 0.11 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
6 页 / 0.11 MByte

TCDT1102 数据手册

VISHAY(威世)
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Vishay Semiconductor(威世)
DIP6 通孔 单通道 32 V 3750 Vrms 光电晶体管输出 光耦合器
Vishay Intertechnology
VISHAY(威世)
光电耦合器,光电晶体管输出 Optocoupler, Phototransistor Output
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VISHAY  TCDT1102G..  光耦合器
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