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TCET1100
0.155
TCET1100 数据手册 (9 页)
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TCET1100 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
4 Pin
电源电压
5.00 V
额定电压(DC)
5.00 V
封装
DIP-4
上升/下降时间
3µs, 4.7µs
输出电压
70.0 V
通道数
1 Channel
正向电压
1.25 V
输入电流
60.0 mA
功耗
265 mW
上升时间
3 µs
隔离电压
5000 Vrms
正向电流
60 mA
输出电压(Max)
70 V
输入电流(Min)
60 mA
正向电压(Max)
1.6 V
正向电流(Max)
60 mA
下降时间
4.7 µs
工作温度(Max)
100 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
265 mW

TCET1100 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
4.75 mm
宽度
6.3 mm
高度
3.6 mm
工作温度
-40℃ ~ 100℃

TCET1100 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 0.11 MByte
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