TD350E

器件3D模型

￥ 2.047

TD350E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

SOIC-14

描述:

STMICROELECTRONICS TD350E 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧, 26V电源, 2.3A输出, 450ns延迟, SOIC-14

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

TD350E 数据手册 (18 页)

引脚图在4 页Hot

封装尺寸在15 页 16 页

原理图在3 页

TD350E 数据手册 (18 页)

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TD350E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

14 Pin

电源电压

26.0V (max)

封装

SOIC-14

上升/下降时间

130ns, 75ns (Max)

输出接口数

2 Output

输出电流

1.5 A

针脚数

14 Position

功耗

500 mW

上升时间

175 ns

下降时间

90 ns

下降时间(Max)

90 ns

上升时间(Max)

175 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

500 mW

电源电压

12V ~ 26V

电源电压(Max)

26 V

查看数据手册 >

TD350E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

8.75 mm

宽度

4 mm

高度

1.65 mm

工作温度

-40℃ ~ 125℃

查看数据手册 >

TD350E 符合标准

TD350E 海关信息

TD350E 概述

TD350E 数据手册

TD350E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 0.35 MByte

TD350E 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

68 页 / 3.38 MByte

TD350E 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.33 MByte

TD350E 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 0.66 MByte

TD350E 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

50 页 / 1.56 MByte

TD350 数据手册

TD350E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS TD350E 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧, 26V电源, 2.3A输出, 450ns延迟, SOIC-14

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先进的IGBT / MOSFET驱动器 Advanced IGBT/MOSFET Driver

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