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器件3D模型
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TD352IN 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
PDIP-8
描述:
先进的IGBT / MOSFET驱动器 Advanced IGBT/MOSFET Driver
Pictures:
3D模型
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焊盘图
引脚图
产品图
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引脚图
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TD352IN 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
8 Pin
封装
PDIP-8
上升/下降时间
100ns (Max)
输出接口数
1 Output
输出电压
28.3 V
极性
N-Channel
功耗
500 mW
下降时间(Max)
100 ns
上升时间(Max)
100 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
500 mW
电源电压
12V ~ 26V
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TD352IN 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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TD352IN 符合标准
TD352IN 数据手册
TD352IN
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
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TD352 数据手册
TD352
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
先进的IGBT / MOSFET驱动器 Advanced IGBT/MOSFET Driver
TD352
IDT
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
TD352 系列 26 V 750 mA 表面贴装 高级 IGBT/MOSFET 驱动器 - SOIC-8
TD352
ID
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics
TD352
IN
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
先进的IGBT / MOSFET驱动器 Advanced IGBT/MOSFET Driver
TD352
I
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
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