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TIP101G
0.256
TIP101G 数据手册 (1 页)
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TIP101G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
8.00 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
80 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
8A
最小电流放大倍数
1000 @3A, 4V
最大电流放大倍数
20000
额定功率(Max)
2 W
直流电流增益(hFE)
20
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

TIP101G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.53 mm
宽度
4.83 mm
高度
15.75 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

TIP101G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.22 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.28 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.02 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.15 MByte

TIP101 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors
Multicomp
MULTICOMP  TIP101  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 80 W, 8 A, 20000 hFE
Central Semiconductor
ST Microelectronics(意法半导体)
NTE Electronics
Motorola(摩托罗拉)
Micro Commercial Components(美微科)
Fairchild(飞兆/仙童)
整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors
Continental Device
Samsung(三星)
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