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TIP112-BP
0.525
TIP112-BP 数据手册 (3 页)
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TIP112-BP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
2.00 A
封装
TO-220-3
极性
NPN
功耗
50 W
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
集电极最大允许电流
2A
最小电流放大倍数
1000 @1A, 4V
额定功率(Max)
50 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

TIP112-BP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
150℃ (TJ)

TIP112-BP 数据手册

Micro Commercial Components(美微科)
3 页 / 0.26 MByte
Micro Commercial Components(美微科)
13 页 / 1.08 MByte
Micro Commercial Components(美微科)
1 页 / 0.13 MByte

TIP112 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  TIP112.  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 2 W, 2 A, 500 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors
ON Semiconductor(安森美)
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
Multicomp
MULTICOMP  TIP112  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 50 W, 2 A, 1000 hFE
Central Semiconductor
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
UTC(友顺)
NPN外延硅 达林顿晶体管
Motorola(摩托罗拉)
Continental Device
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