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TIP121TU
0.66
TIP121TU 数据手册 (5 页)
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TIP121TU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
功耗
2 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
最小电流放大倍数
1000 @3A, 3V
额定功率(Max)
2 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

TIP121TU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
16.51 mm
工作温度
150℃ (TJ)

TIP121TU 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.21 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.28 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.56 MByte

TIP121 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  TIP121  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 65 W, 5 A, 1000 hFE
ON Semiconductor(安森美)
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Multicomp
MULTICOMP  TIP121  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 65 W, 5 A, 1000 hFE
TI(德州仪器)
NPN 达林顿连接的硅功率晶体管
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
NPN硅功率DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS
Motorola(摩托罗拉)
Central Semiconductor
National Semiconductor(美国国家半导体)
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