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TIP147T
0.529
TIP147T 数据手册 (5 页)
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TIP147T 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-100 V
额定电流
-2.00 A
封装
TO-220-3
极性
PNP, P-Channel
功耗
80 W
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
最小电流放大倍数
1000 @5A, 4V
额定功率(Max)
80 W
直流电流增益(hFE)
1000
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
80000 mW

TIP147T 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
9.4 mm
工作温度
150℃ (TJ)

TIP147T 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.21 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.22 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.06 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.56 MByte

TIP147 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  TIP147  达林顿双极晶体管
Multicomp
MULTICOMP  TIP147  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 125 W, -10 A, 1000 hFE
ON Semiconductor(安森美)
达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP外延硅达林顿晶体管 PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor
Central Semiconductor
达林顿晶体管 PNP Pwr Darl
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
NTE Electronics
TI(德州仪器)
Motorola(摩托罗拉)
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