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TIP3055G
1.593
TIP3055G 数据手册 (3 页)
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TIP3055G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
2.5 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
15.0 A
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
90 W
集电极击穿电压
70.0 V
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
热阻
1.39℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流
15A
最小电流放大倍数
20 @4A, 4V
额定功率(Max)
90 W
直流电流增益(hFE)
5
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
90000 mW

TIP3055G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
宽度
4.9 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

TIP3055G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.45 MByte

TIP3055 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  TIP3055  单晶体管 双极, NPN, 70 V, 90 W, 15 A, 70 hFE
ON Semiconductor(安森美)
功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
Multicomp
MULTICOMP  TIP3055  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 2.5 MHz, 90 W, 15 A, 20 hFE
Motorola(摩托罗拉)
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTOR
NXP(恩智浦)
Central Semiconductor
TI(德州仪器)
NTE Electronics
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